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1、利用二極管 PN 結電壓與結溫的Vf-TJ 關系曲線,來測量LED 的結溫。
2、從上述介紹的各種 LED 結溫的測量方法可看出,采用監(jiān)視二極管PN 結電壓的變化來推算結溫的方法最具有可行性并且測量精度也最高,所以在很多集成IC 電路中,為了檢測IC 芯片的工作結溫,往往會刻出或值入1 個或幾個二極管,通過測量其正向電壓降的變化來達到測量芯片結溫的目的。
3、利用發(fā)光光譜峰位移測定結溫,也是一種非接觸的測量方法,直接從發(fā)光光譜確定禁帶寬度移動技術來測量結溫,這一方法對光譜測試儀器分辨精度要求較高,發(fā)光峰位的精度測定難度較大,而光譜峰位移1 納米的誤差變化就對應著測量結溫約30 度的變化,所以測量精度和重復性都比較低。
4、通過測量管腳溫度和芯片耗散功率和熱阻系數(shù)求得結溫。但是因為耗散功率和熱阻系數(shù)的不準確,所以測量精度比較低。
5、紅外熱成像法,利用紅外非接觸溫度儀直接測量LED 芯片的溫度,但要求被測器件處于未封裝的狀態(tài),另外對LED 封裝材料折射率有特殊要求,否則無法準確測量,測量精度比較低。
6、向列型液晶熱成像技術,對儀器分辨率要求高,只能測量未封裝的單個裸芯片,不能測量封裝后的LED。